Desde la Universidad Estatal de Carolina del norte llega una nueva tecnología que aún se encuentra en desarrollo. Científicos de dicha entidad están creado una memoria universal que valdría para servir como memorias de almacenamiento volátil y no volátil, por ejemplo la memoria RAM y la memoria Flash, respectivamente.
Esta tecnología se denomina DFG-FET (Dual-Floating Gate Field Effect Transistors), se trata de chips de memoria capaces de alterar su estado entre modo volátil y no volátil, por otro lado demandan menos potencia de consumo. Las memorias DFG-FET permitirían de forma instantánea reanudar equipos en modo reposo, tan sólo necesitan de una pequeña batería, que será la encargada de alterar dicho estado.
De momento, no sabemos cuándo llegarán, lo que sí se puede suponer, es que podrían cambiar de nuevo los paradigmas de almacenamiento.
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